| 发明名称 |
具有周期性掺杂碳之氮化镓之高电子移动率电晶体 |
| 摘要 |
明揭示一种用于形成一高电子移动率电晶体(HEMT)装置之方法及藉由该方法形成之一种HEMT装置，该HEMT装置具有一或多个未掺杂之氮化镓(GaN)层及一或多个掺杂碳之氮化镓层(c-GaN)的复数个交替层。在一个实施例中，该方法包括在一基板上形成一通道层堆叠，该通道层堆叠具有一或多个未掺杂之氮化镓(GaN)层与一或多个掺杂碳之氮化镓层(c-GaN)的复数个交替层。该方法进一步包括在该通道层堆叠上形成一障壁层。在一个实施例中，藉由在抑制碳并入于氮化镓中之生长条件中生长该一或多个未掺杂之氮化镓(GaN)层中之各层且在促进碳并入于氮化镓中之生长条件中生长该一或多个掺杂碳之氮化镓(c-GaN)层中之各层来形成该通道层堆叠。
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| 申请公布号 |
TW201614832 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW103142638 |
申请日期 |
2014.12.08 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
拉蒙 杰佛瑞 克瑞格;金尼尔曼 卡尔 |
| 分类号 |
H01L29/12(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L29/778(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种形成一高电子移动率电晶体装置之方法，该方法包含：提供一基板；在该基板上形成一通道层堆叠，该通道层堆叠具有一或多个未掺杂之氮化镓层与一或多个掺杂碳之氮化镓层的复数个交替层；及在该通道层堆叠上形成一障壁层。
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| 地址 |
日本 |
