| 发明名称 |
一次可程式非挥发性记忆体 |
| 摘要 |
一次可程式非挥发性记忆体，包括基底、开关元件与熔丝结构。开关元件设置于基底上。熔丝结构包括导体层、间隙壁与插塞。导体层耦接至开关元件的端子。间隙壁设置于导体层的侧壁上。插塞设置于导体层上，且覆盖间隙壁。插塞与导体层的上表面的重叠部分的重叠面积小于插塞的上视面积。 |
| 申请公布号 |
TW201614812 |
申请公布日期 |
2016.04.16 |
| 申请号 |
TW104130070 |
申请日期 |
2015.09.11 |
| 申请人 |
力旺电子股份有限公司 30075 新竹科学园区园区二路47号305室 |
发明人 |
徐德训 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;詹东颖;刘亚君 |
| 主权项 |
一种一次可程式非挥发性记忆体，包括： 一基底； 一开关元件，设置于该基底上；以及 一熔丝结构，包括： 一导体层，耦接至该开关元件的一端子； 一间隙壁，设置于该导体层的侧壁上；以及 一插塞，设置于该导体层上，且覆盖该间隙壁，其中该插塞与该导体层的上表面的一重叠部分的一重叠面积小于该插塞的上视面积。 |
| 地址 |
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