提高氧化物蚀刻选择性的方法

摘要

技术包含蚀刻氧化层的方法，其对底层通道材料有较高的选择性。此蚀刻选择性的增加减少对通道材料的损坏，因而提供更可靠且较佳性能的半导体装置。此处技术包含使用氟碳气体以馈送电浆而产生蚀刻剂，且亦产生弹道电子的通量以在蚀刻制程期间处理一给定的基板。

主权项

一种执行选择性蚀刻制程的方法，用于在一基板上执行特征部的选择性蚀刻制程，该方法包含： 设置一基板在一电浆处理系统内的一基板支座上，该基板具有一图案化的遮罩层，该图案化的遮罩层定义使一氧化层露出的开口，该基板具有在该氧化层下方的一通道材料； 流动一处理气体混合物进入该电浆处理系统，该处理气体混合物包含一氟碳气体； 自该处理气体混合物形成电浆，使得该氧化层系透过该图案化的遮罩层曝露于该电浆，该电浆藉由施加射频功率至该电浆处理系统而形成； 除了施加该射频功率至该电浆处理系统之外，施加负直流功率至该电浆处理系统的一上电极，该上电极具有一面对电浆的表面，该面对电浆的表面包含一导电材料，该导电材料提供回应粒子轰击的二次电子发射；以及 相对于该通道材料蚀刻该氧化层，使得来自该电浆的产物以至少约7比1的比例相对于该通道材料蚀刻该氧化层。