| 摘要 |
본 발명은 기판 표면에 레지스트막이 피복된 합성 석영 유리 기판을 테르펜류가 용해되어 있는 용제에 침지하여, 상기 레지스트막을 박리하고, 이어서 해당 기판을 물 세정하는 것을 특징으로 하는 합성 석영 유리 기판의 처리 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 반도체 포토마스크나 나노임프린트 테크놀로지에서 사용되고 있는 레지스트막을 완전히 제거할 수 있다. 또한, 레지스트막 위에 보호막이 형성되어 있는 경우에도 동시에 제거할 수 있다. 레지스트막 또는 보호막의 유기물 성분이 용제에 용해되는 것이 아니라 박리되기 때문에, 불필요해진 막 성분을 용이하게 회수할 수 있어, 박리시키기 위한 용제를 오래 사용할 수 있을 뿐 아니라, 레지스트막 또는 보호막의 제거 능력 및 막의 제거에 소요되는 택트 타임을 개선할 수 있다. |
