ＡＬＤ層によって封止したオプトエレクトロニクス半導体チップおよび対応する製造方法

摘要

電磁放射の発生を目的とする活性領域（４２）を含む半導体ボディ（４０）と、電磁放射を反射することを目的とする第１ミラー層（２１）と、電気絶縁材料で形成された第１封止層（３１）と、第１封止層（３１）、第１ミラー層（２１）、および半導体ボディ（４０）を機械的に支持することを目的とするキャリア（１０）と、を含み、第１ミラー層（１２）は、キャリア（１０）と半導体ボディ（４０）との間に配置され、第１封止層（３１）は、キャリア（１０）と第１ミラー層（２１）との間に配置され、第１封止層（３１）は、ＡＬＤ層である、オプトエレクトロニクス半導体チップを特定する。