一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种LED芯片及其制备方法，该制备方法主要是采用溶胶凝胶制备一种多孔SiO2薄膜作为电流阻挡层，用以改善现有技术中用PECVD的方法沉积二氧化硅时等离子体带来的P-GaN损伤，造成工作电压升高，以及不能减少P电极吸光的问题，本发明的LED芯片中由于多孔SiO₂薄膜的存在，量子阱所发出的光被多孔SiO₂薄膜多次反射和折射，部分光从电流阻挡层的侧面出来，减少了P电极吸光，进而提高芯片的亮度。

主权项

一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上形成发光外延层；2)于所述发光外延层上制备一层多孔SiO₂薄膜以作为电流阻挡层，并在所述发光外延层上制备出包覆该多孔SiO₂薄膜的透明导电层；制备多孔SiO₂薄膜包括以下步骤：2‑1)碱催化反应：将正硅酸乙酯、氨水、甘油、去离子水、以及聚乙烯醇按照体积比为1∶0.16∶2.5∶5∶0.2的配比进行混合并搅拌均匀获得混合溶液，将该混合溶液密封后置于50℃的环境中反应120小时；2‑2)酸催化反应：将经碱催化后的溶液、醋酸、以及摩尔浓度5％的聚乙烯醇按照体积比为2∶0.06∶0.4的配比进行混合并密封后置于50℃的环境中反应12小时，以获得溶胶；2‑3)涂胶：将获得的溶胶涂布于所述发光外延层上，经匀胶、甩胶以及退火后获得所述的多孔SiO₂薄膜；3)分别制备出P电极及N电极，以完成所述LED芯片的制备。