临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构

摘要

本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。

主权项

一种制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一基片上形成包括集成电路的至少一部分的第一半导体结构；将离子注入承载晶片中以在所述承载晶片内形成弱化区域；将所述承载晶片直接键合到所述第一半导体结构的第一侧；在将所述承载晶片附接到所述第一半导体结构的同时，利用所述承载晶片操作所述第一半导体结构以处理所述第一半导体结构，其中所述承载晶片提供对经处理的第一半导体结构的支承；将包括集成电路的至少一部分的第二半导体结构直接键合到所述第一半导体结构的第二侧，该第二侧与所述第一半导体结构的被直接键合了所述承载晶片的所述第一侧相反；以及沿所述承载晶片中的所述弱化区域使来自所述承载晶片的材料层与所述承载晶片的其余部分分离，使所述承载基片的厚度在大约10nm到大约1000nm之间的材料层仍然附接到所述第一半导体结构，其中，仍然附接到所述第一半导体结构的材料层用作形成另外的器件结构的基础层。