用于有源电路封装的微型机电系统(MEMS)装置防静摩擦的装置和方法

摘要

一个或多个止挡件特征(例如凹凸结构)形成在标准ASIC晶片上的钝化层，用于防止MEMS装置在具有由ASIC晶片直接封端的MEMS装置集成装置中的垂直静摩擦。氮化钛涂层可以用在止挡件特征上用于防止静摩擦。电势可被施加到的一个或多个止挡件特征的氮化钛抗静摩擦涂层上。

主权项

一种用于在ASIC晶片上形成止挡件特征的方法，所述ASIC晶片包括顶部电路层，所述方法包括：所述顶部电路层上形成HDP‑OX层；所述HDP‑OX腐蚀停止层上形成钝化层；和选择性地腐蚀钝化层以形成至少一个止挡件特征，其中所述HDP‑OX层是用于图案化钝化层的腐蚀停止层。