发明名称 |
火棉胶薄膜的图形化方法 |
摘要 |
本发明公开了一种镀制在衬底上的火棉胶薄膜的图形化方法。该方法包括如下步骤:利用薄膜沉积方法在火棉胶薄膜上沉积一种容易腐蚀的掩模层;利用微加工技术中的光刻、显影、腐蚀等方法把该掩模层进行处理,获得所需要火棉胶薄膜图形的掩模层图形;利用丙酮去除暴露出来的火棉胶薄膜,再利用掩模层材料腐蚀液腐蚀掉表面的掩模层,最终获得火棉胶薄膜所需要的微小图形。该方法能够精细地制作出火棉胶薄膜的微纳图形,而且具有所用材料成本低,方法简单,操作方便等优点,解决了目前火棉胶薄膜的图形化难题。 |
申请公布号 |
CN103193200B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201310080874.8 |
申请日期 |
2013.03.14 |
申请人 |
西安工业大学 |
发明人 |
蔡长龙;刘卫国;牛晓玲;韩雄;刘欢;周顺;秦文罡 |
分类号 |
B81C99/00(2010.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
B81C99/00(2010.01)I |
代理机构 |
西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 |
代理人 |
黄秦芳 |
主权项 |
火棉胶薄膜的图形化方法,其特征在于:包括以下步骤:1)在火棉胶薄膜上沉积一种容易腐蚀的掩模层;2)采用光刻、显影的方法在掩模层上面制作所需图形的光刻胶图形;3)采用化学溶液腐蚀的方法腐蚀掩模层,获得所需图形的掩模层图形;4)利用丙酮腐蚀去除掩模层上面的光刻胶以及没有掩模层部分的火棉胶薄膜,再利用掩模层腐蚀液去除剩余的掩模层,获得火棉胶所需的图形;所述步骤1)中的掩模层材料是不溶于光刻胶、显影液以及水的金属或氧化物;所述步骤2)中的光刻技术是指光学曝光或电子束曝光方法;所述步骤4)中的图形的横向尺寸小于100nm。 |
地址 |
710032 陕西省西安市金花北路4号 |