清洗机台清洗效率的测试方法

摘要

一种清洗机台清洗效率的测试方法，用于测试清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，所述清洗机台清洗效率的测试方法包括：提供晶圆；在晶圆表面形成多晶硅层，多晶硅层具有初始厚度；对多晶硅层进行平坦化处理；在平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对多晶硅层进行清洗处理；在清洗处理后，对多晶硅层进行刻蚀处理；测试刻蚀处理前后多晶硅层的厚度差异；根据多晶硅的厚度差异，判断清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。所述测试方法能够及时有效测试出清洗机台的清洗情况是否正常，从而消除相应清洗机台出现清洗异常时，对后续刻蚀处理过程产生的不利影响。

主权项

一种清洗机台清洗效率的测试方法，用于测试清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，其特征在于，包括：提供晶圆；在所述晶圆表面形成多晶硅层，所述多晶硅层具有初始厚度；对所述多晶硅层进行平坦化处理；在所述平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对所述多晶硅层进行清洗处理；在所述清洗处理后，对所述多晶硅层进行刻蚀处理；测试所述刻蚀处理前后所述多晶硅层的厚度差异；根据所述多晶硅的所述厚度差异，判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。