| 发明名称 | 硅中的热处理 | ||
| 摘要 | 提供了处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法。所述方法包括：i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件；和iii)冷却所述器件，其中所述加热步骤或冷却步骤或二者在光照下完成。 | ||
| 申请公布号 | CN105493296A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201480042119.3 | 申请日期 | 2014.07.24 |
| 申请人 | 新南创新私人有限公司 | 发明人 | 布雷特·杰森·哈拉姆;马修·布鲁斯·爱德华兹;斯图尔特·罗斯·文哈姆;菲利普·乔治·哈默;凯瑟琳·艾米丽·尚;张子文;吕佩玄;林·迈;宋立辉;阿德莱恩·苏吉安托;艾利森·马里·文哈姆;徐光琦 |
| 分类号 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/048(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/068(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 张英;宫传芝 |
| 主权项 | 一种处理具有含有内部氢源的晶体硅区域的器件的方法，所述方法包括i)将封装材料施加于所述器件的每个前表面和后表面以形成叠层；ii)向所述叠层施加压力并在光照下加热所述叠层以使所述封装材料粘结至所述器件。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||