| 发明名称 |
发光二极管的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。 |
| 申请公布号 |
CN103474520B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
| 申请号 |
CN201210185681.4 |
申请日期 |
2012.06.07 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
朱钧;张淏酥;李群庆;金国藩;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
