半导体装置

摘要

所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。

主权项

一种半导体装置，包括：含硅的绝缘膜；所述绝缘膜上与所述绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与所述第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与所述氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；所述第二金属氧化物膜上与所述第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中所述源电极和所述漏电极设置在所述氧化物半导体膜与所述第二金属氧化物膜之间，以及其中所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜各自含有所述氧化物半导体膜的一种或多种构成金属元素。