| 发明名称 | 热熔反应制备发光材料8-羟基喹啉铝的方法 | ||
| 摘要 | 一种热熔反应制备发光材料8-羟基喹啉铝的方法。以8-羟基喹啉和无水氯化铝为反应原料，热熔法直接制备纯8-羟基喹啉铝，具体通过以下步骤来实现：按照摩尔比为8-羟基喹啉:氯化铝=3:1，将反应原料8-羟基喹啉和氯化铝交替加入到反应器中，升温至80℃～100℃，反应2 h～4 h。反应完毕，冷却至室温，出料，获得纯度为97%～99%的8-羟基喹啉铝。本发明具有流程短、产率高、无废液排放、生产成本低、环境友好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104193677B | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410457144.X | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 南昌航空大学 | 发明人 | 钟学明 |
| 分类号 | C07D215/30(2006.01)I | 主分类号 | C07D215/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人 | 欧阳沁 |
| 主权项 | 热熔反应制备发光材料8‑羟基喹啉铝的方法，其特征在于：以8‑羟基喹啉和无水氯化铝为反应原料，热熔法直接制备纯8‑羟基喹啉铝；按照摩尔比为8‑羟基喹啉:氯化铝=3:1，将反应原料8‑羟基喹啉和氯化铝加入到反应器中，升温至80℃～100℃，反应2 h～4 h；反应完毕，冷却至室温，出料，获得纯度为97%～99%的8‑羟基喹啉铝。 | ||
| 地址 | 330063 江西省南昌市丰和南大道696号 | ||