发明名称 |
自对准接触孔的小尺寸MOSFET结构及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法,包括步骤:1)刻蚀沟槽,生长栅氧,淀积多晶硅并回刻;3)生长衬垫氧化层,进行体区、源区注入及热退火;4)淀积氮化硅和LPTEOS;5)回刻除去TEOS和氮化硅;6)淀积层间介质层并平坦化;7)涂布光刻胶,曝光接触孔;然后除去光刻胶,干法刻蚀层间介质层至硅表面,再进行硅刻蚀,形成接触孔底部沟槽。本发明还公开了应用上述方法制作的MOSFET结构。本发明通过在传统制造工艺基础上,增加一层SiN和LPTEOS的淀积和刻蚀,实现了接触孔与栅极沟槽的自对准,从而在不增加光刻层数的前提下,解决了元胞尺寸缩小过程中遇到的接触孔套准精度问题。 |
申请公布号 |
CN103545364B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201210239999.6 |
申请日期 |
2012.07.11 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
邵向荣;张朝阳 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
刘昌荣 |
主权项 |
自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅衬底上刻蚀出沟槽,并在刻蚀完成后,保留刻蚀阻挡层;2)生长栅极氧化层,淀积多晶硅,并将多晶硅回刻至刻蚀阻挡层表面;3)除去刻蚀阻挡层,在硅外延层和多晶硅表面生长衬垫氧化层,然后进行体区、源区的注入及热退火;4)淀积氮化硅和低压正硅酸乙酯;5)回刻除去正硅酸乙酯和氮化硅,并使刻蚀停留在衬垫氧化层上;6)淀积层间介质层,并平坦化;7)涂布光刻胶,曝光接触孔;然后除去光刻胶,选择二氧化硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体,将层间介质层刻蚀到硅表面;再选择硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体进行硅刻蚀,形成接触孔底部沟槽;后续按照常规工艺完成MOSFET的制作。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |