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一种多晶硅逆向凝固方法，其特征在于：在多晶硅逆向凝固装置中进行，并包括下述步骤：所述多晶硅逆向凝固装置，包括炉体(400)、真空系统、充气系统、定向凝固熔炼系统、顶部升降机构、底部升降机构，所述顶部升降机构包括顶部升降旋转装置(101)，顶部升降旋转装置(101)的下端固定顶部连接杆(102)，顶部连接杆(102)的另一端固定籽晶盘(103)；所述顶部升降旋转装置(101)位于炉体(400)的外部，所述顶部连接杆(102)穿过炉体(400)的上表面；所述籽晶盘(103)位于定向凝固熔炼系统中硅液承装装置(202)的上方，①备料阶段：将工业硅放置在硅液承装装置(202)中；设置籽晶盘(103)；②熔炼阶段：打开真空系统，使炉体(400)的真空度达到0.1～10Pa，真空达到要求后利用加热感应线圈(205)对加热体(203)进行加热，升温至500～900℃时充入氩气量至炉体(400)内的压力为40000～60000Pa，最后升温至1650～1500℃保温，确保硅液承装装置(202)内的硅料完全融化；③定向凝固阶段：将籽晶盘(103)下降，下降速率为0.05～100mm/min，确保籽晶和硅液(500)液面接触后开始定向凝固提纯；控制籽晶盘(103)的上升速度为0.05～100mm/min，同时控制托盘(201)的下降速度为0.05～100mm/min，在该下降过程中调整硅液(500)的温度为1420℃～1480℃，确保晶体沿着籽晶继续向下生长；当硅液(500)剩余至初始的5％～25％时，控制籽晶盘(103)上升，使所得硅芯(600)离开硅液(500)液面，等硅芯(600)冷却至室温后，取出硅芯(600)；所述步骤①中所述籽晶盘按下述方法设置：使用端面设有夹持装置的籽晶盘(103)，在籽晶盘(103)中装上籽晶，籽晶成圆环分布；或使用下端面固定圆柱形水冷铜或水冷钼突起部的籽晶盘(103)。 |
