发明名称 低应力氧化铝陶瓷金属封接方法
摘要 本发明是低应力氧化铝陶瓷金属封接方法,包括如下步骤:1)准备氧化铝陶瓷;2)金属化图形制作;3)热切;4)高温烧结;5)配制中间层镀液;6)镀覆;7)金属引线和焊料片预处理;8)装架钎焊。优点:金属引线洛氏硬度降低到80以下,氧化铝熟瓷钨金属化层上涂覆镍层厚度为0.02μm~5μm,保证了钎焊过程中间层的高阻挡性,封接后氧化铝陶瓷与金属引线处于强度安全的应力状态,结合强度8Kg/cm<sup>2</sup>以上,所制作的外壳,其氧化铝陶瓷与金属引线封接结合强度、和长期可靠性能够满足数字电路、微波、电力电子、光电器件以及其他多层氧化铝陶瓷外壳的封装需求,工艺简单、需要的生产设备少、可工业化、低成本大规模生产。
申请公布号 CN105481414A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201510865925.7 申请日期 2015.12.01
申请人 中国电子科技集团公司第五十五研究所 发明人 庞学满;陈宇宁;唐利锋;陈寰贝;许丽清;钟明全
分类号 C04B37/02(2006.01)I;C04B41/90(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B37/02(2006.01)I
代理机构 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人 沈根水
主权项 低应力氧化铝陶瓷金属封接方法,其特征是包括如下步骤:1)准备氧化铝陶瓷;2)金属化图形制作;3)热切;4)高温烧结;5)配制中间层镀液;6)镀覆;7)金属引线和焊料片预处理;8)装架钎焊。
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