一种降低电子束连续拉锭熔炼过程中硅锭内应力的装置及方法

摘要

本发明公开一种降低电子束连续拉锭熔炼过程中硅锭内应力的装置及方法，装置包括水冷铜坩埚，所述水冷铜坩埚为中空结构，所述水冷铜坩埚中空结构中设有水冷铜拉锭底座，所述水冷铜拉锭底座与水冷铜坩埚内壁紧配合，所述水冷铜拉锭底座下端与拉锭连接丝杠相连，所述水冷铜拉锭底座上表面设有拉锭杆，所述水冷铜坩埚的下方设有石墨保温层，所述石墨保温层内表面镀有碳化硅涂层。本发明装置在电子束连续熔炼的拉锭中，侧壁增加表面镀有碳化硅的石墨层，使拉锭过程中硅晶体生长速率变得缓慢，降低最终硅锭的内应力；最终硅锭的内应力明显降低40％以上；在拉锭过程中采用低束流维持熔炼缓慢拉锭，降低熔炼能耗的同时，减少最终硅锭的内应力；降低能耗15％以上。

主权项

一种降低电子束连续拉锭熔炼过程中硅锭内应力的装置，其特征在于：包括水冷铜坩埚，所述水冷铜坩埚为中空结构，所述水冷铜坩埚中空结构中设有水冷铜拉锭底座，所述水冷铜拉锭底座与水冷铜坩埚内壁紧配合，所述水冷铜拉锭底座下端与拉锭连接丝杠相连，所述水冷铜拉锭底座上表面设有拉锭杆，所述水冷铜坩埚的下方设有石墨保温层，所述石墨保温层内表面镀有碳化硅涂层。