| 发明名称 | 电子设备及其制造方法和其制造装置 | ||
| 摘要 | [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。 | ||
| 申请公布号 | CN105489655A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201510633441.X | 申请日期 | 2015.09.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;高知县公立大学法人 | 发明人 | 里吉务;石田宽;佐佐木和男;古田守 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种电子设备，其特征在于，其具备：构成氧化物半导体的金属氧化物膜、与该金属氧化物膜邻接的第1膜、以及夹持该第1膜且与所述金属氧化物膜相对的第2膜；所述第1膜和所述第2膜的至少一者由含氟膜形成，所述第1膜与所述金属氧化物膜的边界的氟原子浓度高于所述金属氧化物膜的所述边界以外部分的氟原子浓度，至少所述第1膜的所述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向所述边界而减少的浓度梯度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||