利用Ru/Si二极管的交叉点存储器

摘要

本发明涉及利用包括串联耦合于两个导体之间的电阻元件及二极管的存储器单元的存储器装置。所述二极管包括钌材料及硅材料。所述二极管进一步包括在所述硅材料上的钌或硅化钌的界面。硅化钌界面可为多晶硅化钌。

主权项

一种存储器单元，其包含：第一导体；第二导体；电阻元件，其耦合于所述第一导体与所述第二导体之间；及二极管，其在所述第一导体与所述第二导体之间与所述电阻元件串联耦合；其中所述电阻元件包含具有可变电阻率的材料及与所述二极管接触的电极；其中所述具有可变电阻率的材料与沿所述第一导体的方向的邻近存储器单元及沿所述第二导体的方向的邻近存储器单元接触；其中所述二极管包含钌材料及硅材料；且其中所述二极管进一步包含在所述硅材料上的界面，所述界面选自由所述硅材料上的钌界面及所述硅材料上的硅化钌界面组成的群组。