具反射镜保护层的发光二极管结构

摘要

一种具反射镜保护层的发光二极管结构，包含依序堆叠的一P型半导体层、一金属反射层与一缓冲层，以及一保护附着层，其中该保护附着层遮蔽该金属反射层的边缘，该保护附着层分为一附着层与一保护层，该附着层为藉由等离子增长型化学气相沉积(PVCVD)先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层上形成附着键结，再导入硅烷(SixHy)以沉积氮化硅(SixNy)或氧化硅(SiO₂)而形成；该保护层为使用PVCVD于该附着层上继续沉积而形成，据此该附着层具有良好的附着性并可避免该保护附着层剥离脱落，且此附着层具有良好的疏水性与热稳定性，于高湿度且温度变化剧烈的环境中可使保护层稳固的披覆在金属反射层边缘，以让该保护层可确实保护该金属反射层，避免该金属反射层氧化而影响发光效率。

主权项

一种具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，包含：一N型电极；一N型半导体层，该N型电极形成于该N型半导体层的一侧；一发光层，该发光层形成于该N型半导体层远离该N型电极的一侧；一P型半导体层，该P型半导体层形成于该发光层远离该N型半导体层的一侧；一金属反射层，该金属反射层形成于该P型半导体层远离该发光层的一侧；一保护附着层，该保护附着层形成于该金属反射层远离该P型半导体层的一侧，且遮蔽该金属反射层的边缘，该保护附着层分为一附着层与一保护层，该附着层为藉由等离子增长型化学气相沉积先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层上形成附着键结，再导入硅烷以沉积氮化硅与氧化硅的任一而形成，而该保护层使用等离子增长型化学气相沉积于该附着层上继续沉积而形成；一缓冲层，该缓冲层形成于该保护附着层远离该金属反射层的一侧，且该P型半导体层、该保护附着层与该缓冲层完整遮蔽该金属反射层；一结合层，该结合层形成于该缓冲层远离该保护附着层的一侧；一永久基板，该永久基板形成于该结合层远离该保护附着层的一侧；以及一P型电极，该P型电极形成于该永久基板远离该结合层的一侧。