发明名称 |
贴合晶圆的制造方法 |
摘要 |
本发明是一种贴合晶圆的制造方法,其对接合晶圆的表面,离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层,将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后,施加热处理,并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离,由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,所述贴合晶圆的制造方法的特征在于:在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量接合晶圆与基底晶圆的厚度,选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合,然后,以400℃以下的温度来进行热处理,并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此,能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均,并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。 |
申请公布号 |
CN105493232A |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201480047111.6 |
申请日期 |
2014.08.01 |
申请人 |
信越半导体株式会社 |
发明人 |
小林德弘;阿贺浩司 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
谢顺星;张晶 |
主权项 |
一种贴合晶圆的制造方法,其对接合晶圆的表面,离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子而形成离子注入层,将所述接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后,施加热处理,并在所述离子注入层使所述接合晶圆的一部分剥离,由此来制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,所述贴合晶圆的制造方法的特征在于:在将所述接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量所述接合晶圆与所述基底晶圆的厚度,选择两片晶圆的厚度的差值为5μm以上的所述接合晶圆与所述基底晶圆所成的组合,以400℃以下的温度来进行所述热处理,并在所述离子注入层使所述接合晶圆的一部分剥离。 |
地址 |
日本东京都 |