| 发明名称 | 用于后段（BEOL）互连的先前层自对准过孔及插塞图案化 | ||
| 摘要 | 描述了用于后段(BEOL)互连的先前层自对准过孔及插塞图案化。在示例中，一种用于集成电路的互连结构包括设置在衬底上方的所述互连结构的第一层。所述第一层包括第一方向上的交替的金属线和电介质线的格栅。所述互连结构的第二层设置在所述第一层上方。所述第二层包括第二方向上的交替的金属线和电介质线的格栅，所述第二方向垂直于所述第一方向。所述第二层的所述格栅的每条金属线设置在凹陷的电介质线上，所述凹陷的电介质线包括与所述互连结构的所述第一层的所述交替的金属线和电介质线对应的第一电介质材料和第二电介质材料的交替的相异区域。 | ||
| 申请公布号 | CN105493249A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201380079151.4 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | C·H·华莱士;P·A·尼许斯;E·N·谭;S·希瓦库马 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种用于集成电路的互连结构，所述互连结构包括：设置在衬底上方的所述互连结构的第一层，所述第一层包括第一方向上的交替的金属线和电介质线的格栅；以及设置在所述第一层上方的所述互连结构的第二层，所述第二层包括第二方向上的交替的金属线和电介质线的格栅，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，所述第二层的所述格栅的每条金属线设置在凹陷的电介质线上，所述凹陷的电介质线包括与所述互连结构的所述第一层的所述交替的金属线和电介质线对应的第一电介质材料和第二电介质材料的交替的相异区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||