垂直型发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直型发光二极管的制造方法，通过本发明的制造方法制得的垂直型发光二极管，其上表面、下表面以及所有侧面都形成表面粗化层，并且该垂直型发光二极管还具有两排并列平行的反射层，这种结构能够大幅度提高发光效率的同时，还能够进一步提高发光二极管的发光均匀性。

主权项

一种垂直型发光二极管的制造方法，依次包括以下步骤：(1)在硫化锌或者砷化镓衬底上采用MOCVD外延生长GaN缓冲层；(2)利用碱性溶液对GaN缓冲层的表面进行腐蚀，从而在GaN缓冲层表面上形成纳米级的锯齿状的第一表面粗化层；(3)在GaN缓冲层被粗化的表面上采用MOCVD或者分子束磊晶工艺(MBE)来依次形成n型GaN层、多量子阱发光层(MQW)、p型AlGaN层、p型GaN层；(4)在p型GaN层表面上旋涂光刻胶，利用光刻工艺对p型GaN层表面进行光刻，以便在p型GaN层的两侧形成凹槽；(5)利用溅镀工艺或者电子束蒸发工艺在p型GaN层两侧的凹槽上形成第一反射层和第二反射层；(6)对溅镀第一反射层和第二反射层后的p型GaN层表面进行化学机械抛光(CMP)工艺，以使得第一反射层、第二反射层与p型GaN层的表面平坦化；(7)在p型GaN层、第一反射层以及第二反射层的表面上采用溅镀工艺形成透明电极层；(8)在衬底的下表面采用溅镀工艺形成透明欧姆接触金属层；(9)将完成层叠结构的垂直型发光二极管浸泡在碱性溶液中，以便将该层叠结构的所有表面粗化，形成第二表面粗化层；(10)在透明欧姆接触金属层的下表面形成n型电极，在透明电极层的上表面形成p型电极。