发明名称 一种石墨/SiC复合材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种石墨/SiC复合材料的制备方法,属于C/SiC复合材料制备技术领域。本发明以密度为1.6-1.85g/cm<sup>3</sup>的石墨为原料,先通过浸渍-固化-裂解-Si/C反应得到密度为1.95-2.05g/cm<sup>3</sup>的预成品;然后在石墨容器内通过聚甲基硅烷的富集-裂解得到带有不定型碳化硅涂层的石墨/SiC预成品;最后通过烧结得到带β碳化硅涂层的石墨/SiC成品。本发明成品的孔隙率小于等于2%,高温使用时不存在开裂的问题。
申请公布号 CN105481477A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201511017040.8 申请日期 2015.12.29
申请人 湖南博望碳陶有限公司 发明人 赵倩倩;张西岩;蒋军军;朱建丰
分类号 C04B41/87(2006.01)I 主分类号 C04B41/87(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 43114 代理人 颜勇
主权项 一种石墨/SiC复合材料的制备方法,其特征在于包括下述步骤:步骤一以密度为1.6‑1.85g/cm<sup>3</sup>的石墨为原料;按照设计的工件结构及尺寸,对原料进行机械加工至尺寸精度后;清洗、干燥得到石墨坯体;步骤二步骤二a将石墨坯体放入浸渍罐中,抽真空,控制真空度在0.001MPa以下,吸入浸渍液,浸渍液由聚甲基硅烷和苯乙烯按质量比100:10~20组成,先进行真空浸渍,然后进行加压浸渍;放出浸渍液,取出含浸渍液的石墨坯体,置于石墨坩埚,装入真空烧结炉中,在保护气氛下进行固化、裂解处理;烧结完成后,取出工件,进行表面打磨、清理;所述固化的温度为450~600℃、所述裂解的温度为1200~1300℃;步骤二b按步骤二a中的浸渍‑固化‑裂解操作重复循环操作至少3次后;在保护气氛下升温至1470‑1550℃进行Si/C反应2‑3h;步骤二c按步骤二b,浸渍‑固化‑裂解重复循环操作至少3次后进行一次Si/C反应的操作,重复循环直至得到密度为1.95‑2.05g/cm<sup>3</sup>的预成品;步骤三步骤三a按1m<sup>3</sup>的石墨容器a装10‑20kg聚甲基硅烷的比例配取聚甲基硅烷;然后将配取的聚甲基硅烷盛入石墨容器a,并将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中,然后步骤二c所得预成品置于石墨容器b中,抽真空、通入保护气体,然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后,关闭进气口,升温至700~800℃,保温至少15min后,以3‑5℃/min的降温速率降温至100℃以下,得到带有第一层不定型碳化硅涂层的石墨/SiC预成品;步骤三b以带有第i层不定型碳化硅涂层的石墨/SiC预成品为待涂工件,重复步骤三a的操作,得到带有第i+1层不定型碳化硅涂层的石墨/SiC预成品;再继续重复步骤三a直至所有不定型碳化硅涂层的厚度之和大于等于10微米;所述i大于等于1;步骤三c将步骤三b所得带有不定型碳化硅涂层的石墨/SiC预成品;置于烧结炉中,在真空气氛或保护气氛下烧结,得到带β碳化硅涂层的石墨/SiC成品;所述烧结的温度为1500~1600℃,保温2‑3h。
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