用于制造金属化的半导体衬底的方法和设备

摘要

描述了一种用于制造金属化的半导体衬底的方法，其中衬底被浸没到涂液中并且在那里优选地以光诱导的方式或者以光辅助的方式被涂层。紧接着，被涂层的衬底被转移到冲洗装置中，用于去除由电解质构成的金属残留物。在该冲洗装置中，衬底经受级联冲洗。在此堆积的含金属的冲洗介质至少部分地又被馈入到涂液中。此外，还描述了一种用于执行这种方法的设备。

主权项

一种用于制造金属化的半导体衬底的方法，其具有如下步骤：‑ 将半导体衬底浸没到包含电解质的镀槽中，‑ 给被浸没的半导体衬底的表面涂层，并且‑ 将半导体衬底转移到冲洗装置中，在所述冲洗装置中，借助液态冲洗介质尽最大可能地从被涂层的表面清除由电解质构成的金属残留物，其中，半导体衬底在冲洗装置的至少两个串联连接的冲洗站中经受级联冲洗，并且来自冲洗装置的含金属的冲洗介质被转移到镀槽中，而且在那里至少部分地替换从镀槽中带出的和/或被蒸发的电解质，其中通过排气区或空气浴实现将含金属的冲洗介质回收到镀槽，并且其中冲洗介质被浓缩，从而将所述冲洗介质喷射到其蒸发的排气区中，其中新鲜的冲洗介质仅被输送给相应的最后的站，并且冲洗介质与要冲洗的衬底的输送方向相反地从那里直至流入到第一站中。