发明名称 半导体激光元件
摘要 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜,且散热性较高的隆脊型半导体激光元件,其具备:基板;设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部;设置于隆脊上的电极;设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜;及设置于电极上的焊垫电极;且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧,该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极,在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
申请公布号 CN105490161A 申请公布日期 2016.04.13
申请号 CN201610019680.0 申请日期 2012.07.04
申请人 日亚化学工业株式会社 发明人 枡井真吾;川田康博;藤本英之;道上敦生
分类号 H01S5/022(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I 主分类号 H01S5/022(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 樊建中
主权项 一种半导体激光元件,其特征在于,具备:基板;半导体部,其设置于上述基板上且在上述基板的相反侧的面具有隆脊;电极,其设置于上述隆脊上;绝缘膜,其设置于上述隆脊的两侧的半导体部上;及焊垫电极,其设置于上述电极上;该半导体激光元件将上述焊垫电极侧作为安装面侧,上述焊垫电极在上述绝缘膜上延伸设置;在上述半导体部与上述焊垫电极之间设置有隔板部,位于上述隆脊上的焊垫电极的上表面、与位于上述隔板部的上方的焊垫电极的上表面实质上处于相同的高度。
地址 日本德岛县
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