发明名称 |
带光反射层的半导体发光芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种带光反射层的半导体发光芯片,包括半导体叠层,所述半导体叠层至少包括依次叠设的n型导电层、发光层和p型导电层;半导体叠层上设有至少一与n型导电层导电连接的n型电极和至少一与p型导电层导电连接的p型电极;在半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极凹陷,n型电极设在n型电极凹陷内;半导体发光芯片至少有一表面和/或侧面为出光表面,除出光表面外,半导体发光芯片的其它表面和侧面被至少一光反射层所包裹。本发明的带光反射层的半导体发光芯片发光效率高、光形好。 |
申请公布号 |
CN103367618B |
申请公布日期 |
2016.04.13 |
申请号 |
CN201310307145.1 |
申请日期 |
2013.07.19 |
申请人 |
深圳大道半导体有限公司 |
发明人 |
李刚 |
分类号 |
H01L33/60(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/60(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 |
代理人 |
张约宗;张秋红 |
主权项 |
一种带光反射层的半导体发光芯片,包括半导体叠层,所述半导体叠层至少包括依次叠设的n型导电层、发光层和p型导电层;所述半导体叠层上设有至少一与所述n型导电层导电连接的n型电极和至少一与所述p型导电层导电连接的p型电极;在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极凹陷,所述n型电极设在所述n型电极凹陷内;其特征在于,所述半导体发光芯片至少有一表面和/或侧面为出光表面,除所述出光表面外,所述半导体发光芯片的其它表面和侧面被至少一光反射层所包裹;所述n型电极凹陷包括n型电极台阶、n型电极凹槽及n型电极凹孔中的一种或多种。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区南头街道深南10128南山数字文化产业基地西塔508-3 |