发明名称 半导体结构之制法
摘要 半导体结构之制法,系先设置一中介板于一承载件上,该承载件具有本体与结合于该本体上之结合层,该中介板具有相对之第一侧及第二侧,且该第一侧上具有复数导电元件,该中介板系以其第一侧结合于该结合层上,以令该些导电元件仅嵌入该结合层中,之后结合半导体元件于该中介板上,令该半导体元件与该中介板形成为半导体结构。藉由将该些导电元件压入该结合层中即可,而不需埋入该本体中,故无需于该本体上形成用以收纳导电元件之凹部,因而本发明之制法能适用于不同产品规格之中介板。
申请公布号 TWI529825 申请公布日期 2016.04.11
申请号 TW102131767 申请日期 2013.09.04
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 叶启东;林畯棠
分类号 H01L21/58(2006.01) 主分类号 H01L21/58(2006.01)
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项 一种半导体结构之制法,系包括:设置一中介板于一承载件上,其中,该承载件具有本体、结合于该本体上之结合层、以及结合于该本体与该结合层之间的离型层,该中介板则具有复数基板单元并具有相对之第一侧及第二侧,且该第一侧上具有复数导电元件,俾供该中介板以其第一侧结合于该结合层上后,令该些导电元件仅嵌入该结合层中;结合复数半导体元件于该中介板之第二侧上;进行该中介板之切单制程;移除该离型层,以分离该结合层与该本体;以及移除该结合层,以获得复数该半导体结构。
地址 台中市潭子区大丰路3段123号