包含记忆单元之半导体元件

摘要

发性记忆体装置包括一包括第一电晶体及第二电晶体之记忆单元。第一电晶体包括第一通道、第一闸极电极、第一源极电极、及第一汲极电极。第二电晶体包括以氧化物半导体材料制成之第二通道、第二闸极电极、第二源极电极、及第二汲极电极。第二源极电极及第二汲极电极之一电连接至第一闸极电极。藉由升高在第二源极电极及第二汲极电极之一与第一闸极电极之间的节点之电位来进行记忆单元中之资料写入。藉由以紫外线光照射第二通道并降低节点之电位来进行记忆单元中之资料抹除。

主权项

一种包含一记忆单元之半导体装置，该记忆单元包括一第一电晶体及一第二电晶体，其中该第一电晶体包含一第一半导体层、一第一闸极电极、一第一源极电极、及一第一汲极电极，其中该第二电晶体包含一第二半导体层、一第二闸极电极、一第二源极电极、及一第二汲极电极，其中该第二半导体层包括一氧化物半导体材料，其中该第二源极电极及该第二汲极电极之一电连接至该第一闸极电极，以及其中藉由以一紫外线光照射该第二半导体层来放电累积在该第一闸极电极中之电荷。