一种静电放电保护电路

摘要

明揭示一种静电放电保护电路，其主要包含：一二极体，设置于一N型井区，一包含一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)电晶体，设置于一P型井区，包含一汲极、一源极与一闸极，该汲极与该源极系皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中该P型井区更包含一相邻于该源极之高浓度P型掺杂区，该金氧半(NMOS)电晶体之汲极系电性连接于该二极体之高浓度N型掺杂区，该金氧半(NMOS)电晶体之源极与相邻的该高浓度P型掺杂区系电性地接地，且该金氧半(NMOS)电晶体之闸极系电性连接一触发接点。藉次，该静电放电保护电路具有极低的寄生与杂散电容，极高容忍电压操作范围与高ESD静电保护能力，能解决射频接收端脚的ESD问题。

主权项

一种静电放电保护电路，该静电放电保护电路系由设置于一半导性基板上之一二极体与一金氧半元件所组成，包含：一第一井区，具有第一导电型态；一第二井区，与该第一井区邻接且具有第二导电型态；一第一高浓度掺杂区，位于该第一井区内且具有第二导电型态，该第一高浓度掺杂区电性连接一连接垫；一第二高浓度掺杂区，位于该第一井区内，与该第一高浓度掺杂区有一第一预设距离，具有第一导电型态；一第三高浓度掺杂区，位于该第二井区内且具有第一导电型态；一第四高浓度掺杂区，位于该第二井区内，与该第三高浓度掺杂区有一第二预设距离，且具有第一导电型态，该第四高浓度掺杂区电性连接一接地垫；一第五高浓度掺杂区，位于该第二井区内，相邻于该第四高浓度掺杂区，且具有第二导电型态，该第五高浓度掺杂区连接该接地垫；一电极，位设置于该第二井区之表面，在该第三高浓度掺杂区与该第四高浓度掺杂区之间，该电极电性连接一触发接点；其中该第二高浓度掺杂区电性连接于该第三高浓度掺杂区。