多晶片混合封装的半导体器件及其制备方法

摘要

明一般涉及一种功率器件，尤其是涉及薄型的具有良好散热效果的功率器件及其制备方法。包括晶片安装单元和第一、第二晶片及第一、第二互联结构，第一、第二晶片分别粘贴在晶片安装单元的第一、第二基座上，第一互联结构将第一晶片正面的主电极以及第二晶片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上。第二互联结构将第一晶片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。

主权项

一种多晶片混合封装的半导体器件，其特征在于，包括晶片安装单元和第一、第二晶片及第一、第二互联结构，其中晶片安装单元包括：相邻及并排设置的第一、第二基座，它们各具有相对的一组第一、第二横向边缘和相对的另一组第一、第二纵向边缘，第一基座的第二纵向边缘靠近第二基座的第一纵向边缘；并排设置的第一、第二引脚，皆靠近第一基座的第一纵向边缘；具有一长条状内引脚的第三引脚，第三引脚的内引脚自第一、第二引脚所在的直线上沿着第一、第二基座各自的第一横向边缘的长度方向朝第二基座的第一、第二纵向边缘的对称中心线附近延伸；具有一长条状内引脚的第四引脚，第四引脚的内引脚沿着第二基座的第二纵向边缘的长度方向上延伸；其中，第一晶片粘贴至第一基座的顶面，第二晶片倒装安装在第三引脚的内引脚及第二基座上，使第二晶片正面的主、副电极分别电性连接至第二基座和第三引脚上；第一互联结构包括横跨安装在第一、第二晶片上方的桥式金属片，具有一主平板部分及主平板部分两侧的向下弯折延伸的第一、第二侧壁，第一侧壁抵压并焊接在第一、第二引脚中两者之一上，第二侧壁抵压并焊接在第四引脚上，以将第一晶片正面的主电极以及第二晶片背面的背部电极电性连接至第四引脚和第一、第二引脚两者之一上；第二互联结构将第一晶片正面的副电极电性连接至第一、第二引脚两者中没有与第一互联结构进行电性连接的一个上。