| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | 半导体制程，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，进行一去离子臭氧制程，以形成一氧化层于基底上。而后，形成一介电层于氧化层上。然后，进行一介电后退火(post dielectric annealing,PDA)制程于介电层以及氧化层。 | ||
| 申请公布号 | TWI529803 | 申请公布日期 | 2016.04.11 |
| 申请号 | TW101103349 | 申请日期 | 2012.02.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈映璁;林建廷;傅思逸;蔡世鸿;江文泰;陈智伟;叶秋显;王韶韦;王凯平 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包含有：提供一基底；仅进行一次去离子臭氧制程，以形成单一氧化层于该基底上；形成一介电层直接于该单一氧化层上；以及形成介电层之后，立即进行一介电后退火(post dielectric annealing,PDA)制程于该介电层以及该单一氧化层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||