发明名称 |
導電性の直接金属接合を行う方法 |
摘要 |
方法は、(a)金属層(2)に覆われた第1の基板(1)及び金属層(4)に覆われた第2の基板を準備する、(b)金属層(2、4)を直接、接触させて、流動的に接続された空隙により分離された金属材料橋部(5)を有する接合界面部(6)を形成する、(d)接合界面部(6)を酸化性流体(8)に浸漬し、空隙を少なくとも一部充填する酸化物と、金属/金属酸化物/金属コンタクト領域(9)を形成する、との各ステップを備える。発明は、第1の基板(1)、第1の金属層(2)、当該第1の金属層(2)と共に接合層(6)を構成する第2の金属層(4)と、第2の基板(3)とを備える構造(100)であって、接合界面部(6)は、空隙によって分離された金属材料橋部(5)と、空隙を部分的に充填する金属酸化物と、金属/金属酸化物/金属コンタクト領域(9)とを備える。【選択図】図4 |
申请公布号 |
JP2016510949(A) |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
申请号 |
JP20150560748 |
申请日期 |
2014.03.05 |
申请人 |
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ |
发明人 |
ポール ゴンドシャルトン;ラミーヌ ベネサ;ブルーノ インベール |
分类号 |
H01L21/60;B23K20/00;B23K20/24;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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