| 发明名称 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
본 발명은 게이트 전압을 인가하기 위한 게이트 전극; 전류를 취출하기 위한, 소스 전극 및 드레인 전극; 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉하여 제공되는, n형 산화물 반도체로 형성된 활성층; 및 게이트 전극과 활성층 사이에 제공되는 게이트 절연층을 포함하는 전계 효과형 트랜지스터를 제공하는 것으로, 소스 전극 및 드레인 전극의 일함수가 4.90 eV 이상이고, n형 산화물 반도체의 전자 캐리어 밀도가 4.0 ×10cm이상이다. |
| 申请公布号 |
KR20160039656(A) |
申请公布日期 |
2016.04.11 |
| 申请号 |
KR20167005170 |
申请日期 |
2014.07.25 |
| 申请人 |
RICOH CO., LTD. |
发明人 |
MATSUMOTO SHINJI;UEDA NAOYUKI;NAKAMURA YUKI;TAKADA MIKIKO;SONE YUJI;SAOTOME RYOICHI;ARAE SADANORI;ABE YUKIKO |
| 分类号 |
H01L29/786;G09G3/20;G09G3/32;G09G3/36;H01L21/28;H01L21/288;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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