发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
摘要 본 발명의 과제는 표면에 절연막이 형성된 기판 위에 박막을 형성할 때, 박막의 단차 피복성, 성막 처리의 생산성을 향상시키는 것이다. 표면에 절연막이 형성된 기판에 대해 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제1 원료를 공급함으로써, 절연막의 표면을 트리트먼트하는 공정과, 기판에 대해 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 제2 원료를 공급하는 공정과, 기판에 대해 제3 원료를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 1사이클로 하고 이 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 트리트먼트가 행해진 절연막의 표면 위에, 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 갖는다.
申请公布号 KR101611680(B1) 申请公布日期 2016.04.11
申请号 KR20140023540 申请日期 2014.02.27
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 하라다, 가츠요시;히로세, 요시로;가마쿠라, 츠카사;사노, 아츠시;오리하시, 유고
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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