发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
摘要 본 발명은 저온 영역에서 HF에 대한 내성이 높고 유전율이 낮은 박막을 높은 생산성으로 형성한다.기판에 대하여 소정 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정; 및 기판에 대하여 질소, 탄소 및 산소를 포함하는 반응 가스를 공급하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 기판 상에 소정 원소와, 산소와, 탄소 및 질소 중 적어도 하나를 포함하는 막을 형성하는 공정을 포함한다.
申请公布号 KR101610628(B1) 申请公布日期 2016.04.08
申请号 KR20140077911 申请日期 2014.06.25
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 오리하시 유고;히로세 요시로
分类号 H01L21/20;H01L21/312;H01L21/316;H01L21/318 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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