不揮発性メモリのプログラムアルゴリズムのデバイス及び方法

摘要

所望のプログラミング状態が達成されるまで、読み出し電流レベルを決定するために読み出し動作中に、プログラム電圧の繰り返しパルスを使用するセルをプログラミングするための、不揮発性メモリデバイス及び方法。各連続プログラムパルスは、以前のパルスと関連するステップ値によって増加する１つ以上のプログラム電圧を有する。シングルレベルセルタイプは、各セルが個別に、第１の読み出し電流閾値に達した後、プログラミングパルスから取り出され、該ステップ値はその後、１つ以上のキッカーパルスのために増加される。マルチレベルセルタイプでは、１つのセルが第１の読み出し電流閾値に達した後、ステップ値が低下し、第２の読み出し電流閾値に達した後、いくつかのセルが個々にプログラミングパルスから除去され、一方で、第３の読み出し電流閾値に達した後、他のセルがプログラミングパルスから個々に除去される。【選択図】図１