第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片及其制造方法

摘要

一种在发光结构体很少经受破裂，并具有高质量的纵向LED芯片；以及用于生产该LED芯片的方法。所述方法包括：发光层压体形成步骤：层压顺次层压于生长基板上的第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第III族氮化物半导体层(其类型与第一导电型不同)，从而形成发光层压体；发光结构体形成步骤：除去发光层压体的部分，以便暴露生长基板的部分，从而形成多个分离的发光结构体；形成连接层的步骤，导电性支承部通过所述连接层连接至多个发光结构体；形成可通过所述连接层充当下部电极的导电性支承部的步骤；从多个发光结构体进行生长基板的剥离的剥离步骤；以及切断发光结构体之间的支承部的切断步骤，从而生产各自具有发光结构体的多个LED芯片。所述方法的特征在于发光结构体形成步骤包括以使多个发光结构体的各平面具有圆形或含圆角的4n多角形(其中n表示正整数)的方式除去发光层压体的部分。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体纵向结构LED芯片的方法，其包括：发光层压体形成步骤，其通过在生长基板上顺次堆叠第一导电型第III族氮化物半导体层、发光层和第二导电型第III族氮化物半导体层而形成发光层压体，所述第二导电型与所述第一导电型不同；发光结构体形成步骤，其通过部分除去所述发光层压体以部分暴露所述生长基板来形成多个单独的发光结构体；在所述多个发光结构体上形成欧姆电极层和连接层的步骤；在所述连接层上形成还充当下部电极的导电性支承体的步骤，其中将多个贯通所述导电性支承体的贯通沟或贯通孔设置于位于所述发光结构体之间的所述导电性支承体部分；从所述多个发光结构体剥离所述生长基板的分离步骤，其中在设置贯通沟或贯通孔后，经由贯通沟或贯通孔来供给化学蚀刻剂，通过化学剥离或光化学剥离来进行所述分离步骤；和切断所述发光结构体之间的所述导电性支承体，从而使导电性支承部支承的各自具有所述发光结构体的多个LED芯片单片化的切断步骤，其中，在分离步骤之前所述发光结构体形成步骤包括部分除去所述发光层压体，以使所述多个发光结构体各自具有圆形或含圆角的4n角形的平面形状的步骤，“n”为正整数。