发明名称 外延装置和外延过程中外延层的测量方法
摘要 本发明提出一种外延装置和外延过程中外延层的测量方法。其中,该装置包括:反应腔;设置在反应腔之上的观察窗;设置在反应腔内的托盘,托盘上承载有晶圆;光纤式傅里叶红外光谱分析仪,光纤式傅里叶红外光谱分析仪具有光纤,光纤的一端与观察窗对应,光纤用于发射红外光线,并通过观察窗将红外光线照射至晶圆,以及通过观察窗接收晶圆反射的反射光,光纤式傅里叶红外光谱分析仪用于根据反射光检测晶圆的外延层厚度。本发明实施例的外延装置,可以对外延过程进行实时指导,使得外延过程变得更加可控,大幅提高了外延过程中生产产品的良品率,有效避免了因工艺参数选择不当带来的废品,同时有利于提高外延过程中原材料的利用率和外延装置的产量。
申请公布号 CN105470155A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201410445791.9 申请日期 2014.09.03
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 方浩;马志芳;吴军
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种外延装置,其特征在于,包括:反应腔;设置在所述反应腔之上的观察窗;设置在所述反应腔内的托盘,所述托盘上承载有晶圆;光纤式傅里叶红外光谱分析仪,所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪具有光纤,所述光纤的一端与所述观察窗对应,所述光纤用于发射红外光线,并通过所述观察窗将所述红外光线照射至所述晶圆,以及通过所述观察窗接收所述晶圆反射的反射光,所述光纤式傅里叶红外光谱分析仪用于根据所述反射光检测所述晶圆的外延层厚度。
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