| 发明名称 | 用于制造光电子半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：-提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，-将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，-通过电泳工艺在导电层(18)上沉积转换层(19，19’)。 | ||
| 申请公布号 | CN105474415A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201480046508.3 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 布丽塔·格厄特茨;约恩·斯托;诺温·文马尔姆 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I;C09K11/00(2006.01)I;C09K11/02(2006.01)I;C25D13/02(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;李建航 |
| 主权项 | 一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中所述导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，‑通过电泳工艺在所述导电层(18)上沉积转换层(19，19’)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||