发明名称 圆筒型溅射靶用原材料的制造方法
摘要 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料的制造方法,所述制造方法具备:连续铸造工序,使用连续铸造机或半连续铸造机而铸造平均晶体粒径为20mm以下的圆筒状铸块;及冷加工工序与热处理工序,通过对该圆筒状铸块重复地实施冷加工和热处理而成型所述圆筒型溅射靶用原材料,该圆筒型溅射靶用原材料的外周面上的平均晶体粒径为10μm以上且150μm以下,并且相对于平均晶体粒径为2倍以上的晶粒所占的面积比例小于总晶体面积的25%。
申请公布号 CN105473755A 申请公布日期 2016.04.06
申请号 CN201580001520.7 申请日期 2015.02.20
申请人 三菱综合材料株式会社 发明人 樱井晶;熊谷训;园畠乔;大户路晓
分类号 C22F1/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C9/05(2006.01)I;C22C9/06(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I 主分类号 C22F1/08(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料的制造方法,所述圆筒型溅射靶用原材料的制造方法具备:连续铸造工序,使用连续铸造机或半连续铸造机而铸造平均晶体粒径为20mm以下的圆筒状铸块;及冷加工工序与热处理工序,通过对该圆筒状铸块及将所述圆筒状铸块进行加工的圆筒状加工材料重复地实施冷加工和热处理而成型所述圆筒型溅射靶用原材料,该圆筒型溅射靶用原材料的外周面上的平均晶体粒径为10μm以上且150μm以下,并且相对于平均晶体粒径为2倍以上的晶粒所占的面积比例小于总晶体面积的25%。
地址 日本东京