发明名称 |
表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
摘要 |
表面液晶-垂直腔面发射激光器及其制备方法,属于半导体光电子器件领域。包括垂直腔面发射激光器、带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒。垂直腔面发射激光器从下到上为:N型背面电极、GaAs衬底、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR、有源区、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR,上DBR为凸台结构,台上中心位置从下到上是调谐电极、取向膜,台上边缘及台下部分从下往上为:SiO<sub>2</sub>绝缘层、P型注入电极和衬垫。带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为取向膜、调谐电极和玻璃。液晶盒中贮存有液晶。本发明通过改变调谐电压或者衬底温度来改变液晶层的折射率,引起上反射镜反射率的变化,实现对激光器输出光偏振状态的控制。 |
申请公布号 |
CN103618211B |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201310577046.5 |
申请日期 |
2013.11.18 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
关宝璐;王强;刘欣;江孝伟;马昀骅 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/062(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
表面液晶‑垂直腔面发射激光器,其特征在于,该器件结构包括垂直腔面发射激光器,带有取向膜的ITO玻璃和液晶盒三部分,其中,垂直腔面发射激光器结构从下到上依次为:N型背面电极(12)、底部GaAs衬底(11)、GaAs/AlGaAs交替生长的下DBR(10)、有源区(9)、GaAs/AlGaAs交替生长的上DBR(8),其中,上DBR(8)为凸台结构,凸台结构的凸出部位中含有氧化限制层(13),所述的氧化限制层(13)平行上DBR(8)台面,氧化限制层(13)四周氧化而中心未氧化,中心未氧化部分形成出光孔;上DBR(8)凸出部位的中心位置上为调谐电极(2),调谐电极(2)正对且大于氧化限制层(13)的出光孔,上DBR(8)凸台结构的上台面除调谐电极(2)外、侧面、下台面均为保持凸台结构的SiO<sub>2</sub>绝缘层(7),SiO<sub>2</sub>绝缘层(7)的下台面、侧面及上台面自内而外依次均为P型注入电极(6)和衬垫(4),其中P型注入电极(6)搭接在调谐电极(2)上,P型注入电极(6)和衬垫(4)在调谐电极(2)上方的位置均为缺失部分,缺失部分正对且大于上DBR(8)凸台结构的出光孔,在P型注入电极(6)缺失部位的调谐电极(2)上为取向膜(3),P型注入电极(6)和衬垫(4)的缺失部分与取向膜(3)构成槽体;在槽体与衬垫(4)的正上面为带有取向膜的ITO玻璃结构,槽体成为液晶盒,带有取向膜的ITO玻璃结构从下到上依次为:取向膜、调谐电极和玻璃;液晶盒中贮存有液晶(5)。 |
地址 |
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