| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在第一半导体层上的透光性导电层(13)；设置在透光性导电层(13)上的反射构造(20)；和设置在反射构造(20)上，且与第一半导体层电连接的第一电极，反射构造(20)至少具有反射层(16)，在透光性导电层(13)和反射构造(20)之间存在中间层(17)，中间层(17)由有含离子化倾向大于反射层(16)的元素的材料构成。由此可获得以下优点：能利用介于透光性导电层(13)和反射构造(20)之间的中间层(17)抑制随着半导体发光元件的连续使用而使正向电压上升的情形，能提高可靠性及耐久性。 | ||
| 申请公布号 | CN102738348B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201210080588.7 | 申请日期 | 2012.03.23 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 小川利昭;笠井久嗣;佐野雅彦 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 樊建中 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与上述第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在上述第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在上述第一半导体层上的透光性导电层；设置在上述透光性导电层上的反射构造；以及设置在上述反射构造上且与上述第一半导体层电连接的第一电极，上述反射构造至少具有SiO<sub>2</sub>层，在上述透光性导电层和反射构造之间存在中间层，上述中间层由含有离子化倾向大于上述SiO<sub>2</sub>层的元素的材料构成，上述反射构造具有在上述SiO<sub>2</sub>层上由多个电介质构成的电介质多层膜，上述中间层由与构成上述电介质多层膜的第一层相同的材质构成，上述中间层为Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||