| 发明名称 |
GAP EMBEDDING COMPOSITION METHOD OF EMBEDDING GAP AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE COMPOSITION |
| 摘要 |
반도체 기판 표면 상의 감광성 수지막 부분 사이에 형성된 패턴형상 간극을 매입하기 위해 사용되는 간극 매입용 조성물로서, 상기 간극 매입용 조성물은 적어도 아릴옥시실란 원료의 가수분해 축합물; 및 용매로서 방향족 화합물을 갖는 것을 특징으로 한다. |
| 申请公布号 |
KR101609592(B1) |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
| 申请号 |
KR20137017955 |
申请日期 |
2012.01.30 |
| 申请人 |
후지필름 가부시키가이샤 |
发明人 |
야마모토 케이지 |
| 分类号 |
H01L21/027;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/312 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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