| 发明名称 | 超导导体用基材的制造方法、超导导体的制造方法、超导导体用基材以及超导导体 | ||
| 摘要 | 一种超导导体用基材2的制造方法，具有：在基板10上形成具有导电性的非取向的基础层24的导电性基础层形成工序和在基础层24上形成双轴取向层26的双轴取向层形成工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103069510B | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201280002307.4 | 申请日期 | 2012.08.24 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 奥野良和;福岛弘之;早濑裕子;小岛映二 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;C01G1/00(2006.01)I;C01G3/00(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 主权项 | 一种超导导体用基材的制造方法，具有：导电性基础层形成工序和双轴取向层形成工序，所述导电性基础层形成工序中，在基板上形成具有导电性的非取向的基础层，所述双轴取向层形成工序中，在所述基础层上形成双轴取向层，所述基础层的电阻率为10<sup>‑1</sup>Ω·cm以下，其中，所述基础层的形成工序为使用LiTi<sub>2</sub>O<sub>4</sub>以及SrRuO<sub>3</sub>中的至少一种来形成所述基础层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||