分栅式闪存及其形成方法

摘要

本发明提供一种分栅式闪存及其形成方法，其中分栅式闪存的形成方法包括，在刻蚀控制栅层形成控制栅后，在控制栅裸露的侧壁上形成一层钝化层，从而在所述控制栅的侧壁形成侧墙前，将控制栅中的掺有导电离子的多晶硅材料与空气相隔绝，避免所述控制栅中掺杂的导电离子与空气反应而造成控制栅腐蚀，从而影响分栅式闪存的性能。

主权项

一种分栅式闪存的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成浮栅层、介质层和控制栅层；在所述控制栅层上方形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有第一开口；在所述第一开口侧壁形成第一侧墙，然后以所述硬掩膜层和第一侧墙为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述控制栅层、介质层和浮栅层，直至露出所述半导体衬底，形成第二开口；在所述第二开口内形成源线；去除所述硬掩膜层，并以所述第一侧墙和源线为掩膜，刻蚀所述控制栅层，形成控制栅；在所述控制栅侧壁形成钝化层；在第一侧墙、所述钝化层侧壁形成第二侧墙；以所述第二侧墙和源线为掩膜，刻蚀所述介质层和浮栅层，直至露出所述半导体衬底，形成浮栅；在所述半导体衬底、浮栅侧壁及所述第二侧墙侧壁上形成隧穿介质层；在所述浮栅及第二侧墙侧壁的隧穿介质层上形成选择栅。