| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀方法，用以去除孔底部的绝缘层，包括以下步骤：对孔底部进行刻蚀；采用第一清理气体，在第一压力和第一偏压射频功率的条件下对孔进行第一等离子体清理；以及采用第二清理气体，在第二压力和第二偏压射频功率的条件下对孔进行第二等离子体清理，其中，第一压力大于第二压力，第一偏压射频功率小于第二偏压射频功率。本发明实施例的刻蚀方法具有简单易行、得到的孔表面粗糙度低且损伤少等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105470104A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201410456701.6 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 周娜;蒋中伟 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，用以去除孔底部的绝缘层，其特征在于，包括以下步骤：对孔底部进行刻蚀；采用第一清理气体，在第一压力和第一偏压射频功率的条件下对所述孔进行第一等离子体清理；以及采用第二清理气体，在第二压力和第二偏压射频功率的条件下对所述孔进行第二等离子体清理，其中，所述第一压力大于所述第二压力，所述第一偏压射频功率小于所述第二偏压射频功率。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 | ||