发明名称 |
基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑 |
摘要 |
本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑,由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6<i>N</i>个IGBT模块发生电气联系,IGBT模块触发,两者构成基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑,IGBT模块闭锁,拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现单箝位MMC的基频调制。 |
申请公布号 |
CN105471304A |
申请公布日期 |
2016.04.06 |
申请号 |
CN201610047413.4 |
申请日期 |
2016.01.25 |
申请人 |
华北电力大学 |
发明人 |
赵成勇;刘航;许建中 |
分类号 |
H02M7/49(2007.01)I;H02M1/32(2007.01)I |
主分类号 |
H02M7/49(2007.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型,A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块,2个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个IGBT模块,6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。 |
地址 |
102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 |