| 发明名称 | 用于处理半导体装置的方法及结构 | ||
| 摘要 | 形成半导体结构的方法包含：将载体衬底暴露于硅烷材料以形成涂层；移除所述涂层的至少邻近所述载体衬底的外围的部分；将另一衬底以粘合方式接合到所述载体衬底；及将所述另一衬底与所述载体衬底分离。所述硅烷材料包含具有(XO)3Si(CH2)nY、(XO)2Si((CH2)nY)2或(XO)3Si(CH2)nY(CH2)nSi(XO)3的结构的化合物，其中XO是可水解烷氧基，Y是有机官能基，且n是非负整数。一些方法包含：在第一衬底上方形成包括Si O Si的聚合材料；移除所述聚合材料的一部分；及将另一衬底以粘合方式接合到所述第一衬底。结构包含：包括Si O Si的聚合材料，其安置于第一衬底上方；粘合剂材料，其安置于所述第一衬底及所述聚合材料的至少一部分上方；及第二衬底，其安置于所述粘合剂材料上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105474375A | 申请公布日期 | 2016.04.06 |
| 申请号 | CN201480043545.9 | 申请日期 | 2014.07.21 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 杰斯皮德·S·甘德席 |
| 分类号 | H01L21/58(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种处理半导体装置的方法，其包括：将载体衬底暴露于硅烷材料以在所述载体衬底的表面上方形成涂层，所述硅烷材料包括具有选自由以下各项组成的群组的结构的化合物：(XO)<sub>3</sub>Si(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>Y、(XO)<sub>2</sub>Si((CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>Y)<sub>2</sub>及(XO)<sub>3</sub>Si(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>Y(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>Si(XO)<sub>3</sub>，其中XO是可水解烷氧基，Y是有机官能基，且n是非负整数；从所述表面移除所述涂层的至少邻近所述载体衬底的外围的部分而不移除所述涂层的其余部分；将另一衬底以粘合方式在所述表面上方接合到所述载体衬底；及将所述另一衬底与所述载体衬底分离。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||